5G電源
如今的許多應(yīng)用環(huán)境,如計(jì)算和存儲(chǔ)、通信交換機(jī)和路由器以及無線通信,越來越依賴于數(shù)據(jù)處理,為了滿足5G通信下龐大的數(shù)據(jù)體系,進(jìn)一步推動(dòng)了5G通信設(shè)備中功率電路的發(fā)展應(yīng)用。整個(gè)電源系統(tǒng)必須具有高能效和高密度,以提供所需的高水平電源性能。
新潔能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Split Gate Trench MOSFET 系列產(chǎn)品在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致,全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性。在優(yōu)化供電的所有關(guān)鍵方面,通過功能性升級與工藝技術(shù)優(yōu)化來降低總體成本。
目前,新潔能已推出第二代Split Gate Trench MOSFET,相比于第一代產(chǎn)品,第二代產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻降低20%以上,ESD能力、大電流關(guān)斷能力、短路能力提升20%以上,具有更低的柵極電阻,可以滿足客戶更高能效更高可靠性的需求,產(chǎn)品的性價(jià)比進(jìn)一步提升。
PFC:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=140mΩ-360mΩ
Fly back:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=140mΩ-360mΩ
同步整流:
N-channel SGT Gen.2 MOS & N-channel SGT Gen.1 MOS:VDS=100V-150V Ron@10V(max)<10mΩ